薄膜铌酸锂基片

产品中心

类别：

品牌：

国产

特点：

Si/ Sic/ Sapphire/ Quartz
尺寸：4/6/8英寸
器件层：LT: X-cut, Z-cut; LN: X-cut, Z-cut
器件层厚度：100nm-900nm, 1μm~20μm
可提供掺镁掺铒等特殊规格

产品负责人：

暂无

产品概述

本产品为Mg掺杂铌酸锂基片，采用Top LiNbO3 (LN) Layer/Oxide Layer/Si Handle Wafer 三层核心结构，核心LN层为同成分铌酸锂并掺杂MgO，具备光学级性能、完全单畴极化特性，各项尺寸与性能指标均经过精密检测，适用于光学相关领域的器件制造与应用。

主要技术参数

本产品技术参数分为LN层、氧化物层（Oxide Layer）、LNOI晶圆机械参数、硅衬底晶圆（Si Handle Wafer）四大模块，所有参数检测均遵循对应标准与内部测量流程，未标注备注项的参数无特殊说明，具体指标如下。

一、Top LiNbO3 (LN) Layer

二、Oxide Layer

三、LNOI Wafer 机械参数

四、Si Handle Wafer

测量说明

1. 标注**(1)** 的检测数据，基于体铌酸锂或硅材料的标准测量方法得出；

2. 标注**(2)** 的检测数据，遵循NSIT内部制定的测量流程执行。

包装与存放要求

1. 包装规范

产品采用双层真空包装，标签与包装的详细规范参考MC-3008-A，包装过程与存放时需保证平边朝上（OF Side Up）放置，避免因放置方式不当造成产品结构或性能损伤。

2. 存放建议

产品为光学级精密基片，应存放于干燥、清洁、无剧烈振动的环境中，避免高温、高湿、强光直射，防止基片表面被划伤、污染，确保各项性能指标稳定。

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